SQJ200EP-T1_GE3
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
SQJ200EP-T1_GE3
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — Матрицы
- Техническая документация
-
Описание
Trans MOSFET N-CH 20V 20A/60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Series: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: 2 N-Channel (Dual)FET Feature: StandardDrain to Source Voltage (Vdss): 20VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60ARds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 16A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 10VPower - Max: 27W, 48WOperating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: PowerPAK® SO-8 DualSupplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Наличие и цены на SQJ200EP-T1_GE3 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 03.07.2025 20:51 | парт-номерSQJ200EP-T1_GE3 | брендVishay | доступно0 шт. под заказ мин: 100 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!