SIHD5N50D-E3
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
SIHD5N50D-E3
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
8541290000
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: N-ChannelTechnology: MOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss): 500VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10VRds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10VVgs (Max): ±30VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 100VPower Dissipation (Max): 104W (Tc)Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountSupplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Наличие и цены на SIHD5N50D-E3 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 04.07.2025 08:50 | парт-номерSIHD5N50D-E3 | брендVishay | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!