SIHB12N60E-GE3
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
SIHB12N60E-GE3
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
- Фото стока
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: BulkFET Type: N-ChannelTechnology: MOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss): 600VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10VRds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10VVgs (Max): ±30VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937pF @ 100VPower Dissipation (Max): 147W (Tc)Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountSupplier Device Package: D2PAKPackage / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Наличие и цены на SIHB12N60E-GE3 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 04.07.2025 08:49 | парт-номерSIHB12N60E-GE3 | брендVishay | доступно0 шт. под заказ мин: 1000 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!