Si7252DP-T1-GE3
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
Si7252DP-T1-GE3
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — Матрицы
- Техническая документация
-
Описание
Trans MOSFET N-CH 100V 10.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
-
Ограничения
Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
8541290000
-
Свинец
присутствует
- Фото стока
- Фото стока
-
Параметры
Series: TrenchFET®Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: 2 N-Channel (Dual)FET Feature: Logic Level GateDrain to Source Voltage (Vdss): 100VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7ARds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 15A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50VPower - Max: 46WOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: PowerPAK® SO-8 DualSupplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Наличие и цены на Si7252DP-T1-GE3 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 03.07.2025 21:18 | парт-номерSi7252DP-T1-GE3 | брендVishay | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!