Si7190DP-T1-GE3
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
Si7190DP-T1-GE3
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Trans MOSFET N-CH 250V 18.4A 8-Pin PowerPAK SO T/R
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
8541290000
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Series: TrenchFET®Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: N-ChannelTechnology: MOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss): 250VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10VRds On (Max) @ Id, Vgs: 118 mOhm @ 4.4A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10VVgs (Max): ±20VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2214pF @ 125VPower Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountSupplier Device Package: PowerPAK® SO-8Package / Case: PowerPAK® SO-8
Наличие и цены на Si7190DP-T1-GE3 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 04.07.2025 08:10 | парт-номерSi7190DP-T1-GE3 | брендVishay | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!