SI5513DC-T1-E3
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
SI5513DC-T1-E3
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — Матрицы
- Техническая документация
-
Описание
MOSFET RECOMMENDED ALT SI5513CDC-T1-GE3
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Series: TrenchFET®Part Status: ObsoletePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: N and P-ChannelFET Feature: Logic Level GateDrain to Source Voltage (Vdss): 20VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.1ARds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5VVgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5VPower - Max: 1.1WOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: 8-SMD, Flat LeadSupplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Наличие и цены на SI5513DC-T1-E3 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 03.07.2025 21:53 | парт-номерSI5513DC-T1-E3 | брендVishay | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!