Si3585CDV-T1-GE3
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
Si3585CDV-T1-GE3
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — Матрицы
- Техническая документация
-
Описание
MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
85412900
-
Свинец
нет данных
- Фото стока
- Фото стока
-
Параметры
Series: TrenchFET®Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: N and P-ChannelFET Feature: Logic Level GateDrain to Source Voltage (Vdss): 20VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 2.1ARds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 2.5A, 4.5VVgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10VPower - Max: 1.4W, 1.3WOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Supplier Device Package: 6-TSOP
Наличие и цены на Si3585CDV-T1-GE3 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 03.07.2025 21:28 | парт-номерSi3585CDV-T1-GE3 | брендVishay | доступно0 шт. под заказ мин: 14 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!