SI3424DV-T1-E3
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
SI3424DV-T1-E3
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Series: TrenchFET®Part Status: ObsoletePackaging: Cut Tape (CT)FET Type: N-ChannelTechnology: MOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss): 30VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10VRds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.7A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10VVgs (Max): ±20VPower Dissipation (Max): 1.14W (Ta)Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountSupplier Device Package: 6-TSOPPackage / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Наличие и цены на SI3424DV-T1-E3 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 04.07.2025 08:57 | парт-номерSI3424DV-T1-E3 | брендVishay | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!