SI2305CDS-T1-GE3
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
SI2305CDS-T1-GE3
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
P-Channel 8V 5.8A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) Lead Free
-
Ограничения
Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
- Фото стока
- Фото стока
- Фото стока
- Фото стока
- Фото стока
-
Параметры
Series: TrenchFET®Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: P-ChannelTechnology: MOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss): 8VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5VRds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.4A, 4.5VVgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 8VVgs (Max): ±8VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 4VPower Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountSupplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Наличие и цены на SI2305CDS-T1-GE3 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 04.07.2025 08:55 | парт-номерSI2305CDS-T1-GE3 | брендVishay | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!