VQ1001P
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
VQ1001P
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — Матрицы
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ObsoletePackaging: TubeFET Type: 4 N-ChannelFET Feature: Logic Level GateDrain to Source Voltage (Vdss): 30VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mARds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 Ohm @ 200mA, 5VVgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mAInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 15VPower - Max: 2WOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Through HoleSupplier Device Package: 14-DIP
Наличие и цены на VQ1001P на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 09:01 | парт-номерVQ1001P | брендVishay Siliconix | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!