SIR410DP-T1-GE3
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
SIR410DP-T1-GE3
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK SO T/R
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Series: TrenchFET®Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: N-ChannelTechnology: MOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss): 20VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10VRds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10VVgs (Max): ±20VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 10VPower Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountSupplier Device Package: PowerPAK® SO-8Package / Case: PowerPAK® SO-8
Наличие и цены на SIR410DP-T1-GE3 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 11:02 | парт-номерSIR410DP-T1-GE3 | брендVishay Siliconix | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!