SI3460DDV-T1-GE3
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
SI3460DDV-T1-GE3
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
85412900
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Series: TrenchFET®Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: N-ChannelTechnology: MOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss): 20VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5VRds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5.1A, 4.5VVgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 8VVgs (Max): ±8VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666pF @ 10VPower Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountSupplier Device Package: 6-TSOPPackage / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Наличие и цены на SI3460DDV-T1-GE3 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 07:32 | парт-номерSI3460DDV-T1-GE3 | брендVishay Siliconix | доступно0 шт. под заказ мин: 3000 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!