SI2303BDS-T1-GE3
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
SI2303BDS-T1-GE3
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ObsoletePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: P-ChannelTechnology: MOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss): 30VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.49A (Ta)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10VRds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.7A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10VVgs (Max): ±20VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15VPower Dissipation (Max): 700mW (Ta)Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountSupplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Наличие и цены на SI2303BDS-T1-GE3 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 18:13 | парт-номерSI2303BDS-T1-GE3 | брендVishay Siliconix | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!