IRFBF30PBF
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
IRFBF30PBF
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: TubeFET Type: N-ChannelTechnology: MOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss): 900VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10VRds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 2.2A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10VVgs (Max): ±20VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25VPower Dissipation (Max): 125W (Tc)Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Through HoleSupplier Device Package: TO-220ABPackage / Case: TO-220-3
Наличие и цены на IRFBF30PBF на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 05:09 | парт-номерIRFBF30PBF | брендVishay Siliconix | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!