THGBMNG5D1LBAIL
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
THGBMNG5D1LBAIL
- Категория
- Техническая документация
-
Описание
eMMC 4GB 15nm eMMC (EEPROM)
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Series: e•MMC™Part Status: ActiveMemory Type: Non-VolatileMemory Format: FLASHTechnology: FLASH - NAND (MLC)Memory Size: 4G (512M x 8)Clock Frequency: 200MHzMemory Interface: eMMCVoltage - Supply: 2.7V ~ 3.6VOperating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: 153-WFBGASupplier Device Package: 153-WFBGA (11.5x13)
Наличие и цены на THGBMNG5D1LBAIL на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 05:12 | парт-номерTHGBMNG5D1LBAIL | брендToshiba Memory America, Inc. | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!