STGWT80H65DFB
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
STGWT80H65DFB
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - IGBT - Single
- Техническая документация
-
Описание
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
-
Ограничения
Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
- Фото стока
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: TubeIGBT Type: Trench Field StopVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650VCurrent - Collector (Ic) (Max): 120ACurrent - Collector Pulsed (Icm): 240AVce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80APower - Max: 469WSwitching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)Input Type: StandardGate Charge: 414nCTd (on/off) @ 25°C: 84ns/280nsTest Condition: 400V, 80A, 10 Ohm, 15VReverse Recovery Time (trr): 85nsOperating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-3P-3, SC-65-3Supplier Device Package: TO-3P
Наличие и цены на STGWT80H65DFB на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 10:35 | парт-номерSTGWT80H65DFB | брендSTMicroelectronics | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!