STGW15H120DF2
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
STGW15H120DF2
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - IGBT - Single
- Техническая документация
-
Описание
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: TubeIGBT Type: Trench Field StopVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200VCurrent - Collector (Ic) (Max): 30ACurrent - Collector Pulsed (Icm): 60AVce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15APower - Max: 259WSwitching Energy: 380µJ (on), 370µJ (off)Input Type: StandardGate Charge: 67nCTd (on/off) @ 25°C: 23ns/111nsTest Condition: 600V, 15A, 10 Ohm, 15VReverse Recovery Time (trr): 231nsOperating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-247-3Supplier Device Package: TO-247
Наличие и цены на STGW15H120DF2 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 15:17 | парт-номерSTGW15H120DF2 | брендSTMicroelectronics | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!