STGE50NC60VD
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
STGE50NC60VD
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - IGBT - Модули
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Series: PowerMESH™Part Status: ObsoleteConfiguration: SingleVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600VCurrent - Collector (Ic) (Max): 90APower - Max: 260WVce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40ACurrent - Collector Cutoff (Max): 150µAInput Capacitance (Cies) @ Vce: 4.55nF @ 25VInput: StandardNTC Thermistor: NoOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Chassis MountPackage / Case: ISOTOPSupplier Device Package: ISOTOP
Наличие и цены на STGE50NC60VD на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 19:30 | парт-номерSTGE50NC60VD | брендSTMicroelectronics | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!