STGD5NB120SZ-1
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
STGD5NB120SZ-1
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - IGBT - Single
- Техническая документация
-
Описание
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Series: PowerMESH™Part Status: ActivePackaging: TubeVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200VCurrent - Collector (Ic) (Max): 10ACurrent - Collector Pulsed (Icm): 10AVce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5APower - Max: 75WSwitching Energy: 2.59mJ (on), 9mJ (off)Input Type: StandardTd (on/off) @ 25°C: 690ns/12.1µsTest Condition: 960V, 5A, 1 kOhm, 15VOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AASupplier Device Package: I-PAK
Наличие и цены на STGD5NB120SZ-1 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 12:12 | парт-номерSTGD5NB120SZ-1 | брендSTMicroelectronics | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!