STB18NM60N
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
STB18NM60N
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Series: MDmesh™ IIPart Status: ObsoletePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: N-ChannelTechnology: MOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss): 600VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10VRds On (Max) @ Id, Vgs: 285 mOhm @ 6.5A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10VVgs (Max): ±25VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 50VPower Dissipation (Max): 110W (Tc)Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountSupplier Device Package: D2PAKPackage / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Наличие и цены на STB18NM60N на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 00:04 | парт-номерSTB18NM60N | брендSTMicroelectronics | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!