STB155N3LH6
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
STB155N3LH6
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
N-Channel 30V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK Lead Free
-
Ограничения
Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Series: DeepGATE™, STripFET™ VIPart Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: N-ChannelTechnology: MOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss): 30VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10VRds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 40A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 5VVgs (Max): ±20VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800pF @ 25VPower Dissipation (Max): 110W (Tc)Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)Mounting Type: Surface MountSupplier Device Package: D2PAKPackage / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Наличие и цены на STB155N3LH6 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 14:54 | парт-номерSTB155N3LH6 | брендSTMicroelectronics | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!