SCTW90N65G2V
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
SCTW90N65G2V
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 119A Automotive 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
-
Ограничения
Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Part Status: ActiveFET Type: N-ChannelTechnology: SiCFET (Silicon Carbide)Drain to Source Voltage (Vdss): 650VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18VRds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 50A, 18VVgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157nC @ 18VVgs (Max): +22V, -10VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300pF @ 400VPower Dissipation (Max): 390W (Tc)Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)Mounting Type: Through HoleSupplier Device Package: HiP247™Package / Case: TO-247-3
Наличие и цены на SCTW90N65G2V на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 17:44 | парт-номерSCTW90N65G2V | брендSTMicroelectronics | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!