MJD45H11T4
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
MJD45H11T4
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
-
Ограничения
Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
- Фото стока
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)Transistor Type: PNPCurrent - Collector (Ic) (Max): 8AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8ACurrent - Collector Cutoff (Max): 10µADC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1VPower - Max: 20WOperating Temperature: 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Supplier Device Package: DPAK
Наличие и цены на MJD45H11T4 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 07:18 | парт-номерMJD45H11T4 | брендSTMicroelectronics | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!