BUV26
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
BUV26
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
- Фото стока
-
Параметры
Part Status: ObsoletePackaging: TubeTransistor Type: NPNCurrent - Collector (Ic) (Max): 10AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 12APower - Max: 85WOperating Temperature: 175°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-220-3Supplier Device Package: TO-220AB
Наличие и цены на BUV26 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 15:18 | парт-номерBUV26 | брендSTMicroelectronics | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!