BULB49DT4
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
BULB49DT4
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)Transistor Type: NPNCurrent - Collector (Ic) (Max): 5AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 800mA, 4ACurrent - Collector Cutoff (Max): 100µADC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 7A, 10VPower - Max: 80WOperating Temperature: 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSupplier Device Package: D2PAK
Наличие и цены на BULB49DT4 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 10:42 | парт-номерBULB49DT4 | брендSTMicroelectronics | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!