UMT1NTN
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
UMT1NTN
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - Биполярные (BJT) - множественные
- Техническая документация
-
Описание
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 6-Pin UMT T/R
-
Ограничения
Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)Transistor Type: 2 PNP (Dual)Current - Collector (Ic) (Max): 150mAVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mACurrent - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6VPower - Max: 150mWFrequency - Transition: 140MHzOperating Temperature: 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363Supplier Device Package: UMT6
Наличие и цены на UMT1NTN на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 11:40 | парт-номерUMT1NTN | брендROHM Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!