RQ3E100GNTB
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
RQ3E100GNTB
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
- Фото стока
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: N-ChannelTechnology: MOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss): 30VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10VRds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 10A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 10VVgs (Max): ±20VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 15VPower Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)Operating Temperature: 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountSupplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)Package / Case: 8-PowerVDFN
Наличие и цены на RQ3E100GNTB на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 12:47 | парт-номерRQ3E100GNTB | брендROHM Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!