IMX25T110
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
IMX25T110
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - Биполярные (BJT) - множественные
- Техническая документация
-
Описание
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 6-Pin SMT T/R
-
Ограничения
Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)Transistor Type: 2 NPN (Dual)Current - Collector (Ic) (Max): 300mAVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mACurrent - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 4ma, 2VPower - Max: 300mWFrequency - Transition: 35MHzOperating Temperature: 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: SC-74, SOT-457Supplier Device Package: SMT6
Наличие и цены на IMX25T110 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 09:03 | парт-номерIMX25T110 | брендROHM Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!