IMB11AT110
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
IMB11AT110
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) — матрицы с предварительным смещением
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)Current - Collector (Ic) (Max): 100mAVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50VResistor - Base (R1): 10 kOhmsResistor - Emitter Base (R2): 10 kOhmsDC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mACurrent - Collector Cutoff (Max): 500nAFrequency - Transition: 250MHzPower - Max: 300mWMounting Type: Surface MountPackage / Case: SC-74, SOT-457Supplier Device Package: SMT6
Наличие и цены на IMB11AT110 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 04:11 | парт-номерIMB11AT110 | брендROHM Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!