EMT1T2R
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
EMT1T2R
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - Биполярные (BJT) - множественные
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)Transistor Type: 2 PNP (Dual)Current - Collector (Ic) (Max): 150mAVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mACurrent - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6VPower - Max: 150mWFrequency - Transition: 140MHzOperating Temperature: 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: SOT-563, SOT-666Supplier Device Package: EMT6
Наличие и цены на EMT1T2R на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 16:55 | парт-номерEMT1T2R | брендROHM Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 5 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!