BU4S11G2-TR
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
BU4S11G2-TR
- Категория
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Series: 4SPart Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)Logic Type: NAND GateNumber of Circuits: 1Number of Inputs: 2Voltage - Supply: 3V ~ 16VCurrent - Quiescent (Max): 1µACurrent - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mALogic Level - Low: 1.5V ~ 4VLogic Level - High: 3.5V ~ 11VMax Propagation Delay @ V, Max CL: 30ns @ 15V, 50pFOperating Temperature: -40°C ~ 85°CMounting Type: Surface MountSupplier Device Package: 5-SSOPPackage / Case: SC-74A, SOT-753
Наличие и цены на BU4S11G2-TR на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 22:10 | парт-номерBU4S11G2-TR | брендROHM Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!