2SK3018T106
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
2SK3018T106
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: Not For New DesignsPackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: N-ChannelTechnology: MOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss): 30VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4VRds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4VVgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µAVgs (Max): ±20VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5VPower Dissipation (Max): 200mW (Ta)Operating Temperature: 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountSupplier Device Package: UMT3Package / Case: SC-70, SOT-323
Наличие и цены на 2SK3018T106 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 01:42 | парт-номер2SK3018T106 | брендROHM Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!