2SB1260T100Q
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
2SB1260T100Q
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: Not For New DesignsPackaging: Tape & Reel (TR)Transistor Type: PNPCurrent - Collector (Ic) (Max): 1AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mACurrent - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3VPower - Max: 2WFrequency - Transition: 100MHzOperating Temperature: 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: TO-243AASupplier Device Package: MPT3
Наличие и цены на 2SB1260T100Q на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 13:30 | парт-номер2SB1260T100Q | брендROHM Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!