SS8550DBU
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
SS8550DBU
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Trans GP BJT PNP 25V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Bag
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: BulkTransistor Type: PNPCurrent - Collector (Ic) (Max): 1.5AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mACurrent - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1VPower - Max: 1WFrequency - Transition: 200MHzOperating Temperature: 150°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)Supplier Device Package: TO-92-3
Наличие и цены на SS8550DBU на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 09:33 | парт-номерSS8550DBU | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!