SBC808-25LT1G
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
SBC808-25LT1G
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Series: Automotive, AEC-Q101Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)Transistor Type: PNPCurrent - Collector (Ic) (Max): 500mAVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mACurrent - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1VPower - Max: 300mWFrequency - Transition: 100MHzOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Наличие и цены на SBC808-25LT1G на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 00:53 | парт-номерSBC808-25LT1G | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!