NVMFD5483NLT1G
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
NVMFD5483NLT1G
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — Матрицы
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: 2 N-Channel (Dual)FET Feature: Logic Level GateDrain to Source Voltage (Vdss): 60VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4ARds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 15A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25VPower - Max: 3.1WOperating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: 8-PowerTDFNSupplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Наличие и цены на NVMFD5483NLT1G на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 18:18 | парт-номерNVMFD5483NLT1G | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!