NTMFD5C650NLT1G
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
NTMFD5C650NLT1G
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — Матрицы
- Техническая документация
-
Описание
Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin DFN EP T/R
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Part Status: ActiveFET Type: 2 N-Channel (Dual)FET Feature: StandardDrain to Source Voltage (Vdss): 60VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25VPower - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: 8-PowerTDFNSupplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Наличие и цены на NTMFD5C650NLT1G на стоках в России, США, Европы и Азии
Если вы когда-либо уже обращались в Т-Компонент, но не проходили регистрацию на сайте или потеряли данные для входа на сайт, вы можете воспользоваться входом по ИНН вашей компании и мы пришлём вам на почту ссылку для входа на сайт.
Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 11.08.2025 12:59 для просмотра необходимо авторизоваться | парт-номерxxxxxxxxxxxxxxx | брендON Semiconductor | доступноx шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!