NSVMMBT2222ATT1G
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
NSVMMBT2222ATT1G
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-416 T/R
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)Transistor Type: NPNCurrent - Collector (Ic) (Max): 600mAVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mADC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10VPower - Max: 150mWFrequency - Transition: 300MHzOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: SC-75, SOT-416Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Наличие и цены на NSVMMBT2222ATT1G на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 09:42 | парт-номерNSVMMBT2222ATT1G | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!