NSVF6003SB6T1G
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
NSVF6003SB6T1G
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Series: Automotive, AEC-Q101Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)Transistor Type: NPNVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12VFrequency - Transition: 7GHzNoise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 1GHzGain: 9dBPower - Max: 800mWDC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5VCurrent - Collector (Ic) (Max): 150mAOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Supplier Device Package: 6-CPH
Наличие и цены на NSVF6003SB6T1G на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 01:52 | парт-номерNSVF6003SB6T1G | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!