NSS20201MR6T1G
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
NSS20201MR6T1G
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)Transistor Type: NPNCurrent - Collector (Ic) (Max): 2AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1ACurrent - Collector Cutoff (Max): 100nADC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5VPower - Max: 460mWFrequency - Transition: 200MHzOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: SOT-23-6Supplier Device Package: 6-TSOP
Наличие и цены на NSS20201MR6T1G на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 20:49 | парт-номерNSS20201MR6T1G | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!