NSS12501UW3T2G
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
NSS12501UW3T2G
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Trans GP BJT NPN 12V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
85412100
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)Transistor Type: NPNCurrent - Collector (Ic) (Max): 5AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4ACurrent - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2VPower - Max: 875mWFrequency - Transition: 150MHzOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: 3-WDFN Exposed PadSupplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Наличие и цены на NSS12501UW3T2G на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 17:26 | парт-номерNSS12501UW3T2G | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!