NJW21194G
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
NJW21194G
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO3P
-
Ограничения
Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
- Фото стока
- Фото стока
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: TubeTransistor Type: NPNCurrent - Collector (Ic) (Max): 16AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16ACurrent - Collector Cutoff (Max): 100µADC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5VPower - Max: 200WFrequency - Transition: 4MHzOperating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-3P-3, SC-65-3Supplier Device Package: TO-3P-3L
Наличие и цены на NJW21194G на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 21:58 | парт-номерNJW21194G | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!