NGTB25N120SWG
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
NGTB25N120SWG
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - IGBT - Single
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: Last Time BuyPackaging: TubeIGBT Type: TrenchVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200VCurrent - Collector (Ic) (Max): 50ACurrent - Collector Pulsed (Icm): 100AVce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25APower - Max: 385WSwitching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)Input Type: StandardGate Charge: 178nCTd (on/off) @ 25°C: 87ns/179nsTest Condition: 600V, 25A, 10 Ohm, 15VReverse Recovery Time (trr): 154nsOperating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-247-3Supplier Device Package: TO-247-3
Наличие и цены на NGTB25N120SWG на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 19:40 | парт-номерNGTB25N120SWG | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!