NGTB20N120IHRWG
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
NGTB20N120IHRWG
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - IGBT - Single
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: TubeIGBT Type: Trench Field StopVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200VCurrent - Collector (Ic) (Max): 40ACurrent - Collector Pulsed (Icm): 120AVce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 20APower - Max: 384WSwitching Energy: 450µJ (off)Input Type: StandardGate Charge: 225nCTd (on/off) @ 25°C: -/235nsTest Condition: 600V, 20A, 10 Ohm, 15VOperating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-247-3Supplier Device Package: TO-247
Наличие и цены на NGTB20N120IHRWG на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 01:59 | парт-номерNGTB20N120IHRWG | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!