NDD04N60ZT4G
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
NDD04N60ZT4G
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
- Фото стока
- Фото стока
-
Параметры
Part Status: ObsoletePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: N-ChannelTechnology: MOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss): 600VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10VRds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10VVgs (Max): ±30VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25VPower Dissipation (Max): 83W (Tc)Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountSupplier Device Package: DPAKPackage / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Наличие и цены на NDD04N60ZT4G на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 10:28 | парт-номерNDD04N60ZT4G | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 10 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!