MPSH10G
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
MPSH10G
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ObsoletePackaging: BulkTransistor Type: NPNVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25VFrequency - Transition: 650MHzPower - Max: 350mWDC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10VOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)Supplier Device Package: TO-92-3
Наличие и цены на MPSH10G на стоках в России, США, Европы и Азии
Если вы когда-либо уже обращались в Т-Компонент, но не проходили регистрацию на сайте или потеряли данные для входа на сайт, вы можете воспользоваться входом по ИНН вашей компании и мы пришлём вам на почту ссылку для входа на сайт.
Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 11.08.2025 02:56 для просмотра необходимо авторизоваться | парт-номерxxxxxxx | брендON Semiconductor | доступноx шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!