MPS5179G
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
MPS5179G
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ObsoletePackaging: BulkTransistor Type: NPNVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12VFrequency - Transition: 2GHzPower - Max: 200mWDC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1VCurrent - Collector (Ic) (Max): 50mAMounting Type: Through HolePackage / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)Supplier Device Package: TO-92-3
Наличие и цены на MPS5179G на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 01:45 | парт-номерMPS5179G | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!