MMBTH10LT1G
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
MMBTH10LT1G
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF
- Техническая документация
-
Описание
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
-
Ограничения
Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
- Фото стока
- Фото стока
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)Transistor Type: NPNVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25VFrequency - Transition: 650MHzPower - Max: 225mWDC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10VOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Наличие и цены на MMBTH10LT1G на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 01:42 | парт-номерMMBTH10LT1G | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 45 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!