MMBT6427LT1
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
MMBT6427LT1
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ObsoletePackaging: Cut Tape (CT)Transistor Type: NPN - DarlingtonCurrent - Collector (Ic) (Max): 500mAVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mACurrent - Collector Cutoff (Max): 1µADC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5VPower - Max: 225mWOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Наличие и цены на MMBT6427LT1 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 08:03 | парт-номерMMBT6427LT1 | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!