MJF6668G
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
MJF6668G
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Part Status: ObsoletePackaging: TubeTransistor Type: PNP - DarlingtonCurrent - Collector (Ic) (Max): 10AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10ACurrent - Collector Cutoff (Max): 10µADC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 4VPower - Max: 2WOperating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-220-3 Full PackSupplier Device Package: TO-220FP
Наличие и цены на MJF6668G на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 04:47 | парт-номерMJF6668G | брендON Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!